骗方罗马尼亚的科学家们研究了通过电纺丝制备的平均粒径为14±6nm的银纳米颗粒的明胶纳米纤维。

（c）Na2S/Na2Se界面接触区所选原子（Na，骗方S，Se）的部分态密度。骗方（c）Na原子在体相中的扩散能垒。

骗方（d）钠原子在三种界面结构中的扩散能垒。【文献推荐】(1)Wang,Tianshuai，骗方Qu,Jiale，骗方Legut,Dominik，Qin,Jian，Li,Xifei，Zhang,Qianfan(*)，UniqueDouble-InterstitialcyMechanismandInterfacialStorageMechanismintheGraphene/MetalOxideastheAnodeforSodium-IonBatteries,NanoLett.,2019,19:3122-3130.(2)Wang,Tianshuai，Zhai,Pengbo，Legut,Dominik，Wang,Lei，Liu,Xiaopeng，Li,Bixuan，Dong,Chenxi，Fan,Yanchen，Gong,Yongji(*)，Zhang,Qianfan(*)，S-DopedGraphene-RegionalNucleationMechanismforDendrite-FreeLithiumMetalAnodes,Adv.EnergyMater.,2019,9:1804000.(3)Fan,Yanchen，Chen,Xiang，Legut,Dominik，Zhang,Qianfan(*)，Modelingandtheoreticaldesignofnext-generationlithiummetalbatteries,EnergyStorageMater.,2019,16:169-193. (4)Tian,Hongzhen，Seh,ZhiWei，Yan,Kai，Fu,Zhongheng，Tang,Peng，Lu,Yingying，Zhang,Ruifeng，Legut,Dominik，Cui,Yi(*)，Zhang,Qianfan(*)，TheoreticalInvestigationof2DLayeredMaterialsasProtectiveFilmsforLithiumandSodiumMetalAnodes,Adv.EnergyMater.,2017,7:1602528-1602537.(5)Xiao,Jiewen，Zhou,Guangmin，Chen,Hetian，Feng,Xiang，Legut,Dominik，Fan,Yanchen，Wang,Tianshuai，Cui,Yi，Zhang,Qianfan(*)，ElaborationofAggregatedPolysulfidePhases:FromMoleculestoLargeClustersandSolidPhases,NanoLett.,2019,DOI:10.1021/acs.nanolett.9b03297. (6)Liu,Xiaopeng，Legut,Dominik，Zhang,Ruifeng，Wang,Tianshuai，Fan,Yanchen，Zhang,Qianfan(*)，Tunablemagneticorderintransitionmetaldoped,layered,andanisotropicBi2O2Se:Competitionbetweenexchangeinteractionmechanisms,Phys.Rev.B,2019,100:054438.本文由大兵哥供稿。骗方2）钠离子电池性能优化与输运机制的理论发展。

图三、骗方电极材料表征SnS-SnSe2@3DC复合材料的SEM图像（a-d）、TEM图像（e-f）以及元素mapping图像（g）。【图文导读】图一、骗方界面工程理论模拟（a）界面工程示意图。

结果表明，骗方SnS/SnSe2@3DC电极具有很高的库伦效率（高达99%）和优异的倍率性能（电流密度为0.2Ag-1时为529mAhg-1，骗方电流密度为5Ag-1时为328mAhg-1，电流密度为10Ag-1时为267mAhg-1）。

2012年入选北京航空航天大学卓越百人计划，骗方任副教授。此外，骗方为了利用静电栅偏压，Voc可以通过转换异质结的积累模式到耗尽模式而由负调到正。

骗方文章以Ultralow-Transition-EnergyOrganicComplexonGrapheneforHigh-PerformanceShortwaveInfraredPhotodetection为题发表在著名期刊AdvancedMaterials上。国家纳米科学中心谢黎明研究员团队通过在石墨烯晶体管上集成有机电荷转移复合物，骗方制备了高灵敏度的SWIR混合光电探测器。

1.清华大学ACSNano：骗方垂直化学气相沉积法生长高度均匀的二维过渡金属硫化物二维过渡金属硫属化合物以其良好的物理化学性质在电子和光电子学领域具有广阔的应用前景，骗方引起了人们的广泛关注。同时，骗方光浮栅效应可以提供一种不需要冷却就可以获得高光敏性的替代方法。